RJP30H1DPD
Silicon N Channel IGBT High speed power switching
在庫状態: 75846
最小数量:1
- カプセル化: TO-252
- ブランド: Renesas
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効率的な発注、照会サービスが利用可能
1. Description
This device is a N-channel Power MOSFETs made using the second generation of MDmesh? technology.
This revolutionary transistor associates a new vertical structure to the company’s strip layout to yield one
of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high
efficiency converters.
2. Features
> Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series)
> High speed switching: tr = 80 ns typ., tf = 150 ns typ.
> Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat) = 1.5 V typ.
> Low leak current: ICES = 1 A max.
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手順2:ブッシング取付
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手順3:耐静電気包装
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手順4:包装ケース
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手順5:バーコード運送ラベル
